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2024-07-17 :: 3200 Words内存
2008年，金融危机爆发，DRAM价格再次雪崩，从2.25美元狂跌至0.31美元。
众厂商哀鸿遍野时，已经羽翼丰满的三星，又一次祭出了逆周期投资的看家法宝，将三星电子上一年的总利润的118%，全部用于扩大产能，故意扩大行业的亏损！
2009年，行业排名第三的德国巨头奇梦达资金链断裂，欧洲仅存的内存厂商就此成为历史。
2012年，在日本人苦苦挣扎数年后，尔必达支撑不住，宣布破产。
带宽翻倍原理很简单，DDR内部一次操作预测n倍数据，连续读写是完全能命中的，而随机读写的n-1部分是完全命中不了的。
DRAM颗粒核心频率不变，仅仅提升I/O口频率，这也导致了从DDR1到DDR6内存随机访问延迟没什么变化。
https://www.zhihu.com/question/649546709
内存的起源是哪里？DDR1到DDR6的区别分别是什么？
https://www.zhihu.com/question/9218009141
DDR5内存是如何做到速度相比DDR4实现“质的飞跃”的？
“4F2”在DRAM Cell Structure中指的是一种存储单元的面积，其中”F”代表晶体管的特征尺寸（Feature size）。在DRAM技术发展中，4F2意味着存储单元的尺寸是特征尺寸的四倍平方。
与传统的8F2和6F2单元相比，4F2 DRAM cell可以分别提高约60%和30%的产量。
DIMM：Dual In-Line Memory Module
RDIMM：Register DIMM
LRDIMM：Load Reduced DIMM
https://zhuanlan.zhihu.com/p/91835185
什么是RDIMM和LRDIMM？
CAS Latency描述了内存控制器发出读取命令（CAS 命令）到内存开始发送数据之间的延迟。在内存规格中，CAS延迟通常与内存的频率一起列出，如”2666MHz CL17”中的”CL17”表示CAS延迟为 17个时钟周期。
https://mp.weixin.qq.com/s/HOhBNZfOf5xQIFLYQ5ntCw
内存的故事
https://mp.weixin.qq.com/s/qhR0St3CLWEYqV_kl_oXAw
Rambus之战
https://mp.weixin.qq.com/s/gh9cL0BPzCQ2JFOoXdtqyg
内存的技术发展
https://mp.weixin.qq.com/s/kHPTZlDtjqtr0Vi-5OWycQ
金士顿的传说
https://zhuanlan.zhihu.com/p/57780996
内存延迟：因与果
https://mp.weixin.qq.com/s/XcC18tulYdnwqlusg2QrxA
嵌入式内存STT-MRAM趋势分析
https://zhuanlan.zhihu.com/p/62234511
DDR3 vs DDR4?为什么说内存是个很傻的设备？DDR5在哪里？
https://zhuanlan.zhihu.com/p/40601422
双通道、四通道内存对游戏重要吗？
https://mp.weixin.qq.com/s/9skWM6yirEupLj2wdpgqkA
带你深入理解内存对齐最底层原理
https://mp.weixin.qq.com/s/Mb7iSXfrOtettVn-Sz8QUA
主板上这家伙，要当CPU和内存的中间商！
https://blog.csdn.net/shiwq1127/article/details/127975179
memory interleaving（内存交织）
https://zhuanlan.zhihu.com/p/675766394
DDR5内存的“组织架构”
https://zhuanlan.zhihu.com/p/675768122
DDR5内存全家照
NAND
NOR Flash & NAND Flash
Flash按照内部存储结构不同，分为两种：NOR Flash和NAND Flash。
NOR Flash使用方便，易于连接，可以在芯片上直接运行代码（eXecute In Place），稳定性出色，传输速率高，在小容量时有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为FLASH ROM。
在通信方式上NOR Flash分为两种类型：CFI Flash和SPI Flash。
NAND Flash强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更长的使用寿命。这使NAND Flash很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。NAND Flash存在坏块问题。
桀冈富士雄（Fujio Masuoka）1980年发明了NOR Flash，1986年又发明了NAND Flash。
三星最早提出Norless的概念，在它的CPU on die ROM中固话了NAND Flash的驱动，会把NAND flash的开始一小段拷贝到内存低端作为bootloader,这样昂贵的NOR Flash就被节省下来了，降低了手机主板成本和复杂度。渐渐NOR Flash在手机中慢慢消失了。
参考：
https://mp.weixin.qq.com/s/Coz81Zidz_LaSYkcErJsOQ
NAND Flash与NOR Flash究竟有何不同
https://zhuanlan.zhihu.com/p/26745577
NOR和NAND Flash
SSD
SLC(1Bits/cell) < MLC(2Bits/cell) < TLC(3Bits/cell) < QLC(4Bits/cell) < PLC(5Bits/cell) < HLC(7Bits/cell)
https://zhuanlan.zhihu.com/p/53547723
一篇文章告诉你SLC、MLC、TLC和QLC究竟有啥区别?
https://zhuanlan.zhihu.com/p/92712620
SLC、MLC、TLC、QLC究竟有什么不同
随着硬件设备存储介质的改变和性能不断的提升，存储设备处理IO的能力越来越快，传统的旋转设备HDD单个IO需要几毫秒到十几毫秒不等，而如今的高性能的NVMe SSD已经降低到了微秒级别。
因此也有了一些专门针对SSD硬盘的存储软件框架。
https://mp.weixin.qq.com/s/d8aoAFi_lpFoZZCZsPij_g
SPDK概览
黑片（Black Die/Wafer）是指在生产过程中发现了某些缺陷的NAND闪存芯片，这些缺陷可能影响其性能、耐用性或可靠性。
内存芯片 → Bankgroups → Banks
- 同一Bankgroup内的Bank共享某些资源。
- 不同Bankgroup之间的操作可以更高程度地并行。
- 访问不同Bankgroup的延迟小于访问同一Bankgroup内不同Bank的延迟。
https://zhuanlan.zhihu.com/p/34858149
128G的固态硬盘为什么有的标120G，有的标100G？固态硬盘容量背后的秘密
https://zhuanlan.zhihu.com/p/71267390
固态硬盘和u盘的区别
https://www.zhihu.com/question/401733153
长江存储的Xtacking技术与英特尔的3D Xpoint技术、SK的4DNAND技术有什么异同点？
当年跳水价时候一群人说是因为国产颗粒研发成功所以白菜价了，现在两年过去了，是因为国产颗粒研发技术跨时空倒退了吗？
降价时感恩长鑫长存，涨价时责任全在美光。
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